碳纳米管方向，IBM拿出了全球第一个通道长度（栅极长度）不足10nm的碳纳米晶体管，代表了未来计算技术的重大突破，而且不同于以往已导通状态（on-state）衡量性能的做法，IBM第一次在极其先进的工艺下提供了出色的关闭状态（off-state）性能，比目前一些理论估算得都要好。

　　IBM宣称，未来十年将进入后10nm时代，而对于传统硅技术来说，想进化到如此尺寸会异常困难，就算能够做成如此尺寸的硅晶体管，在性能上也难以和碳纳米晶体管相提并论。

　　石墨烯方面，IBM做成了第一个兼容CMOS的石墨烯集成电路（倍频器），频率最高可达5GHz,而且能够在200℃高温下稳定工作。虽然其高温稳定性的细节还需要进一步评估，但已经为在超高温、高辐射环境中使用石墨烯电路打开了方便之门。

　　而且科研人员们还使用了新的嵌入式栅极结构，使之能在200毫米晶圆上获得足够高的良品率。

　　融合了磁性机械硬盘、闪存固态硬盘特点的“赛道存储”（Racetrak Memory）再获新进展，首次在40nm工艺200毫米晶圆上实现了与CMOS技术的整合，为长达七年的漫长物理性研发画上了一个圆满的句号，下边该考虑如何投入实用了。

　　IBM这次展示了在256个水平磁性水平跑道组成的阵列上如何实现读取、写入功能，接下来将以此为基础，通过使用垂直磁性跑道和三维架构进一步改进Racetrack存储的密度和可靠性，最终有望以不到十亿分之一秒的时间访问海量数据。